ダイヤモンド配線基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010708
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203429
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】材料中最高の熱伝導率を持つダイヤモンドに多層配線を実現する技術を提供する。【解決手段】本発明のダイヤモンド配線基板10は、ダイヤモンド基板1と、そのダイヤモンド基板1中に、金属元素が10nm以上の厚みでかつ1020cm-3以上の濃度で存在してなる注入層2、3、4とを備えている。この注入層2、3、4は、金属元素1MeV以上の高エネルギで、かつ1016cm-2以上の高ドーズ量でイオン注入することで形成される。

請求項（抜粋）：