特許
J-GLOBAL ID：200903050718412784
エピタキシャルウェーハ製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132480
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323556
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル層の落ち込み問題を回避する。【解決手段】 リフトピン10はサセプタ6からウェーハWを押し上げるものであり、このリフトピン10をサセプタ6の熱伝導率よりも低い128(W/m・K)未満の熱伝導率を持つ材料によって形成し、かつ、リフトピン10のヘッド部10bを貫通孔8にピッタリと隙間無く嵌まる形状に形成する。エピタキシャル層形成中に、ウェーハWの上面からリフトピン10のヘッド部10bと脚部10aを順に介してサセプタ6の下面側に向かう熱の移動を抑制することができる。ウェーハWの上面における貫通孔8に対応する領域Pの温度が他の領域に比べて低下してしまうという問題が回避できることとなり、上記領域Pに形成されるエピタキシャル層が他の領域に比べて薄く形成されてしまうというエピタキシャル層の落ち込みを防止できる。
請求項（抜粋）：
ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 N
, H01L 21/205
5F031CA02
, 5F031DA13
, 5F031HA08
, 5F031HA09
, 5F031HA33
, 5F031MA28
, 5F045BB02
, 5F045EB02
, 5F045EB03
, 5F045EK11
, 5F045EK21
, 5F045EK24
, 5F045EM02
, 5F045EM09
, 5F045EM10
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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