特許
J-GLOBAL ID：200903050965479859
磁気抵抗ラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352530
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223782
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 ワードライン電圧の大きさに従いMRAMセルのMTJを通じて流れる電流の量によりドレイン領域からソース領域に流れる電流の量を調節し、2つ以上の多重データを読み出す磁気抵抗ラムを提供すること。【解決手段】 このような目的を達成するための本発明に係る磁気抵抗ラムは、ビットラインに連結され、前記ビットラインに接続されたMRAMセルから伝達される電流を電圧に変換した後、磁気分極方向の差による多重データを検出する多重データ検出回路を備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の活性領域に備えられたソース領域及びドレイン領域、半導体基板のチャネル領域に積層される絶縁層、前記絶縁層の上に積層されたMTJでなるMRAMセルを備え、前記MRAMセルのワードラインに印加される電圧の大きさに従い前記MTJに流れる電流を調節することにより、前記MRAMセルに/からデータを書き込む/読み出すことを特徴とする磁気抵抗ラム。
IPC (4件)：
G11C 11/15 120
, G11C 11/15 150
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/15 120
, G11C 11/15 150
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
