特許
J-GLOBAL ID：200903051263332139

半導体装置の製造方法

発明者：
千葉 祐毅

千葉 祐毅 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-137408
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032908
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】工程数の増大による生産性の低下を招くことなく、微小径の孔等のパターンを形成することができ、集積度の高い半導体装置を生産性良く製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ100の上には、SiC膜101、Low-K膜102、TEOS酸化膜103、有機系反射防止膜104が、下側からこの順で形成されている。また、反射防止膜104の上には、所定の開口パターンが形成されArFレジストからなるマスク層105が形成されている。図2(a)の状態から、マスク層105を介して有機系反射防止膜104のエッチングを行い、図2(b)の状態とする時、プラズマを発生させるために印加する高周波電力の印加電力を変化させることによって、反射防止膜104に形成される開口部の開口寸法を制御する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
処理ガスに第1の周波数を有する第1の高周波を印加して前記処理ガスのプラズマを発生させ、前記第1の周波数より周波数の低い第2の周波数を有する第2の高周波を被処理基板に印加し、前記被処理基板の表面に形成された所定の開口パターンを有するレジスト膜をマスクにして、前記レジスト膜の下に形成された被エッチング層をエッチングする半導体装置の製造方法において、 前記第1の高周波の印加電力を変化させることによって、前記被エッチング層に形成される開口部の開口寸法を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 101B
Fターム (16件)：
5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA08 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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