ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189579
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007679
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】溝の幅が相違する場合等においても、溝の側壁形状を所望の形状とすることができ、良好なエッチングを行うことのできるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】エッチング室内に設けられた一対の対向電極のうちの一方に基板を配置し、対向電極の双方に高周波電力を供給してプラズマによりエッチングを行う装置を用い、少なくともCl2 とHBrとを含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングを行い、図1(a)のシリコン基板101に、窒化シリコン層103等のマスク層を介して、図1(b)に示すように、溝104a,104bを形成する。そして、基板が配置された側の対向電極に印加する高周波電力を調整することにより、溝104a,104bの側壁105a,105bの形状を制御する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶に対して、マスク層を介して所望の形状の溝を形成するドライエッチング方法であって、エッチング室内に設けられた一対の対向電極のうちの一方に基板を配置し、前記対向電極の双方に高周波電力を供給してプラズマによりエッチングを行う装置を用い、前記エッチング室内にエッチングガスを導入し、前記基板が配置された側の前記対向電極に印加する高周波電力を調整することにより、前記溝の側壁形状を制御することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/76 L

Fターム (18件)：

5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F004EB04 , 5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032BA02 , 5F032DA23 , 5F032DA26

引用特許：

審査官引用 (18件)

特開平2-014548
特開平2-014548
エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-312183 出願人：日本電気株式会社

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