半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411210
公開番号（公開出願番号）：特開2005-169541
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】可動部を有するMEMSチップの主面と、MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップの裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置された半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】可動部を有するMEMSチップと、MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップ3とは、MEMSチップの主面とICチップ3の裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置され、保護ケース4内に収容されている。ICチップ3の裏面は、チップ厚を薄くするために研磨処理されており、その研磨処理された裏面には絶縁層11が形成され、MEMSチップとICチップ3の電気的接触が防止されるようになっている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

可動部を有するMEMSチップと、前記MEMSチップからの検出信号を電気的に処理する回路を有するICチップとが保護ケース内に収容された半導体装置であって、前記MEMSチップと前記ICチップとは、前記MEMSチップの主面と前記ICチップの裏面とが所定の間隔を置いて対向するように配置され、前記ICチップの裏面に絶縁層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , G01P15/12 , H01L29/84

FI (6件)：

B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/12 D , H01L29/84 Z , G01P15/08 P

Fターム (25件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF38 , 2F055GG01 , 2F055GG12 , 4M112AA01 , 4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112DA03 , 4M112DA06 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA14 , 4M112EA18 , 4M112FA07 , 4M112GA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-274005号公報(第2頁、図1、4)
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-058285 出願人：日本電気株式会社
加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-214032 出願人：松下電工株式会社

審査官引用 (8件)

特開平4-278462
容量式加速度センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366827 出願人：三菱電機株式会社
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-031624 出願人：株式会社東海理化電機製作所

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