電荷蓄積部の誘電体薄膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153621
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008239
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】組成の制御が容易で、しかも安価に作製できる電荷蓄積部の誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 Si基板1に拡散層2を形成し、次に、SiO2 膜3を形成し、このSiO2 膜3に多結晶Si又は金属プラグ4を貫通させ、その上に、バリア層5、次いでPt層6を順次積層する。次に、第1電極となるPt層6上にゾルゲル法によりPZT薄膜(PZT結晶層)7を形成するが、その際に、Fe(NO3 )2 を用いてFeを不純物としてPZT中に添加し、ゾルゲル法により、PZT薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積部の誘導体薄膜の製造方法において、Fe(NO3 )2 を用いてFeを不純物としてPZT中に添加し、ゾルゲル法により、PZT薄膜を形成することを特徴とする電荷蓄積部の誘導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/316 G , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体デバイスを作成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100443 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
圧電磁器組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-121400 出願人：株式会社村田製作所
強誘電体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-066357 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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