特許
J-GLOBAL ID：200903052028263223
半導体基板の研磨終了時のリンス液及びこれを用いたリンス法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-045450
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243072
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 研磨終了時に研磨液中の砥粒を半導体基板表面に凝集、付着させず、かつ研磨用パッドから速やかに除去し、これにより基板表面にマイクロスクラッチ、ピット、ダメージ及び汚染を生じさせない。【解決手段】 半導体基板16の表面の研磨終了時に基板16の表面をリンスするリンス液19が酸化剤を含有し、その酸化還元電位が10mV以上であることを特徴とする。リンス液はアルカリを更に含有し、pHが8.0以上であることが好ましく、分散剤を更に含有するとより好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板(16)の表面の研磨終了時に前記半導体基板(16)の表面をリンスするリンス液(19)において、酸化剤を含有し、酸化還元電位が10mV以上であることを特徴とする半導体基板の研磨終了時のリンス液。
引用特許：
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