特許

J-GLOBAL ID：200903052168493296

半導体装置

発明者： 寒川 哲臣 ,  後藤 秀樹 ,  俵 毅彦 ,  斉藤 正
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428020
公開番号（公開出願番号）：特開2005-189330
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 横方向量子閉じ込め構造の制御性を確保しつつ、横方向量子閉じ込め構造の形成精度を向上させる。 【解決手段】 半導体基板11の表層にキャリア閉じ込め層12を埋め込み、キャリア閉じ込め層12が埋め込まれた半導体基板11上に超音波発生部13を形成し、超音波発生部13は、キャリア閉じ込め層12および半導体層11に横方向量子閉じ込め構造を生成させる表面弾性波を発生させる。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

キャリア閉じ込め層が表面に形成された半導体層と、 前記キャリア閉じ込め層上に形成され、前記キャリア閉じ込め層に横方向量子閉じ込めポテンシャルを生成させる表面弾性波を発生させる超音波発生部とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G02F1/017 ,  H01L29/06 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

FI (7件)：

G02F1/017 506 ,  H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601W ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/183 ,  H03H9/145 Z ,  H03H9/25 C

Fターム (18件)：

2H079AA04 ,  2H079BA01 ,  2H079CA02 ,  2H079DA16 ,  2H079EA02 ,  2H079EB23 ,  2H079GA05 ,  2H079KA14 ,  5F073AA75 ,  5F073AB17 ,  5F073EA12 ,  5J097AA00 ,  5J097DD07 ,  5J097FF07 ,  5J097KK09 ,  5J097KK10 ,  5J097LL03 ,  5J097LL04

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開昭58-092288
  
• 特開昭58-092289
  
• 光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127893   出願人：沖電気工業株式会社
• 弾性表面波装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-022426   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-236712
  
• 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046121   出願人：富士通株式会社
• 超低電圧駆動光波変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217367   出願人：大阪大学長
• 光導波路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-082261   出願人：日本電気株式会社
• 光導波路型光周波数コム発生器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-292273   出願人：科学技術振興事業団, 興梠元伸