特許
J-GLOBAL ID：200903052271141950
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-315443
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141094
出願日： 2007年12月06日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】マルチビーム半導体レーザ装置において、サブマウントに実装されたレーザチップの各発光部に加わる剪断歪みの相対差を抑制し、偏光角の相対差を低減する。【解決手段】サブマウント6に実装された半導体レーザ素子アレイ8は、基板11上に2個のリッジ部13を有する半導体層2が積層された構造を有し、各リッジ部13の上部に形成されたp型電極3の表面にはAuメッキ層14が形成されている。各リッジ部13において、Auメッキ層14の幅方向の中心位置は、その下方の発光部7の幅方向の中心位置に対して意図的に変位され、半導体レーザ素子アレイ8をサブマウント6に実装する前の段階で各発光部7に剪断歪みが加わるようになっている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の第1の面に形成された第1導電型のカソード電極と、前記半導体基板の第2の面上に形成され、かつ、その内部に複数の発光部を有する半導体層と、前記複数の発光部のそれぞれの上方に形成された第2導電型のアノード電極と、前記アノード電極のそれぞれの表面に形成された金属層とからなるマルチビーム構造の半導体レーザ素子アレイを備え、
前記金属層のそれぞれが接合材を介してサブマウントの第1の面に接合されることによって、前記半導体レーザ素子アレイが前記サブマウントに実装された半導体レーザ装置であって、
前記金属層のそれぞれの幅方向の中心位置は、その下方の前記発光部の幅方向の中心位置に対して意図的に変位されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022
, H01S 5/22
, H01S 5/343
H01S5/022
, H01S5/22 610
, H01S5/343
5F173AA08
, 5F173AD02
, 5F173AG05
, 5F173AH08
, 5F173AH49
, 5F173AR42
, 5F173AR99
, 5F173MA06
, 5F173MC15
, 5F173MD04
, 5F173MD52
, 5F173MD65
, 5F173MD77
, 5F173MD84
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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