特許
J-GLOBAL ID：200903049638964516

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
山根 啓嗣

山根 啓嗣 について

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粂 雅博

粂 雅博 について

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河田 敏也

河田 敏也 について

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木戸口 勲

木戸口 勲 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-429470
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191209
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】実装工程における半導体レーザ素子内部の歪みに起因する動作寿命の低下やレーザ特性の悪化を防止できる高性能かつ高信頼性を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子1は、n型半導体基板11、n型クラッド層12、活性層13、p型第1クラッド層14、電流ブロック層15、p型第2クラッド層16、及びp型コンタクト層17が、この順に積層されてなる。p型コンタクト層17上にはp側オーミック電極18、及びn型半導体基板側にはn側オーミック電極19が形成されている。p型コンタクト層17には光共振器方向の中央部にストライプ21に直交してスリット20が形成されており、スリット20を覆ってp側オーミック電極18が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層と、第2導電型の半導体層をこの順に積層して形成された半導体積層体と、前記半導体積層体側に設けられた電極を少なくとも有する半導体レーザ素子がサブマウントに搭載された半導体レーザ装置であって、 前記第2導電型のクラッド層はストライプ部を有しており、 前記第2導電型の半導体層の上面で前記電極と接触する部分において、少なくとも1つ以上の凹部を有し、前記凹部は、前記半導体レーザ素子の一端から他端まで延びるように設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S5/042 ,  H01S5/022
FI (2件)：
H01S5/042 612 ,  H01S5/022
Fターム (12件)：
5F073AA13 ,  5F073AA89 ,  5F073CA04 ,  5F073CA14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA22 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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