半導体装置、同期式半導体メモリ装置及び同期式半導体メモリ装置のエラーチェック及び訂正方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242678
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084792
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】パイプライン上の高速動作を具現するECC回路を備える半導体装置、同期式半導体メモリ装置及び同期式半導体メモリ装置のエラーチェック及び訂正方法を提供すること。【解決手段】 ECC回路は、(m+p)ビットを選択的に排他的論理和してシンドロームデータを発生させるエラーチェック回路と、(m+p)ビット中のシンドロームデータに該当する位置のデータビットを訂正するエラー訂正回路とを具備し、エラーチェック回路に与えられる(m+p)ビットはメモリセルブロックから出力される(m+p)ビットが第1クロック信号に応答して第1のパイプラインステージに貯蔵されたビットであり、エラー訂正回路に与えられる(m+p)ビットは第1のパイプラインステージの出力が第2クロック信号に応答して第2のパイプラインステージに貯蔵されたビットである。

請求項（抜粋）：

書込み動作時にメモリ装置が受信した複数個の書込みデータビットから発生された複数個の貯蔵されたデータビット及び複数個のパリティビットを有するメモリセルアレイと、前記書込みデータビットを前記複数個の貯蔵されたデータビットと比較するとき、前記複数個の貯蔵されたデータビット及び前記複数個のパリティビットをビットエラーの位置を表わす複数個のシンドロームビットに変換するエラーチェック回路とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 631 , G06F 12/16 320

FI (2件)：

G11C 29/00 631 Q , G06F 12/16 320 F

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭60-133600
誤り訂正装置および訂正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-113401 出願人：株式会社日立製作所
特公平1-018459

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