成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-293904
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064302
出願日： 2003年08月15日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 F添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った半導体装置において、バリアメタル膜とF添加カーボン膜との反応を抑制する。【解決手段】 F添加カーボン膜の露出表面を、Taバリアメタル膜の堆積に先立って、窒素ラジカルなどにより処理し、F原子を除去する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

F添加カーボン膜を、CとFとを含む原料ガスを使って形成する工程と、形成された前記F添加カーボン膜を、ラジカルにより改質する工程と、前記F添加カーボン膜を改質する工程とを含み、前記原料ガスは、原料ガス分子中におけるF原子数とC原子数との比F/Cが、1よりも大きく2よりも小さいことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L21/314 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/314 A , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/302 104H , H01L21/88 R , H01L21/90 K

Fターム (70件)：

4K030AA04 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA05 , 4K030BA27 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 5F004AA14 , 5F004BA20 , 5F004BC06 , 5F004DA17 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DB23 , 5F004EB03 , 5F004FA07 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW04 , 5F033XX03 , 5F033XX14 , 5F033XX24 , 5F058AC05 , 5F058AC10 , 5F058AF02 , 5F058AG07 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-217470 出願人：日本電気株式会社
プラズマ成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320911 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-319092 出願人：松下電子工業株式会社

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審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-319092 出願人：松下電子工業株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-336294 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094271 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社

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