特許
J-GLOBAL ID：200903052586528659
薄膜パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
萼 経夫
, 中村 壽夫
, 宮崎 嘉夫
, 小野塚 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-164173
公開番号（公開出願番号）：特開2005-003737
出願日： 2003年06月09日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】一般的なリフトオフ法の基本工程を変更することなく、レジスト残りの欠陥を防止できるようにする。【解決手段】(a)基板11上に汎用のノボラック系フォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜12を形成した後、(b)このフォトレジスト膜12をパターンニングし、次に、(c)基板10を200〜350°Cに加熱しながら、前記パターン化したフォトレジスト膜12を含む基板10上に、PVD法により誘電体多層膜(Ta2O5/SiO2)を成膜する。その後、硫酸に対して酸化剤(過酸化水素または硝酸)を容積比で1/5以下となるように添加した混合液をレジスト剥離液として用い、(d)この混合液中に前記基板10を浸漬して、誘電体多層膜11下のフォトレジスト膜12を溶解し、その上の誘電体多層膜11を基板10から剥離(リフトオフ)する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に所定のパターンとなるようにフォトレジスト膜を形成する第1工程と、前記基板を加熱しながら前記フォトレジスト膜を含む基板上に薄膜を成膜する第2工程と、硫酸または硫酸と酸化剤との混合液を用いてフォトレジストを溶解し、その上の薄膜を基板から剥離する第3工程とを含むことを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F7/42
, H01L21/027
, H01L21/306
G03F7/42
, H01L21/306 N
, H01L21/30 576
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA28
, 2H096HA30
, 2H096LA03
, 5F043BB30
, 5F043CC02
, 5F043CC16
, 5F043DD18
, 5F046NA01
, 5F046NA19
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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