特許
J-GLOBAL ID:200903052667733745

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-052758
公開番号(公開出願番号):特開2008-096951
出願日: 2007年03月02日
公開日(公表日): 2008年04月24日
要約:
【課題】活性光線又は放射線、特に、KrFエキシマレーザー光、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。【化1】 式(I)中、ARはアリール基を示す。Rnはアルキル基またはアリール基を示す。Aは水素原子またはアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルキルオキシカルボニル基から選ばれる基を示す。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)一般式(I)で表される繰り返し単位を含有する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (1件):
G03F 7/039
FI (1件):
G03F7/039 601
Fターム (14件):
2H025AA01 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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