特許
J-GLOBAL ID：200903052750790726

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
安波 昭一郎

安波 昭一郎 について

, 
和田 健二

和田 健二 について

, 
児玉 邦彦

児玉 邦彦 について

, 
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262469
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122133
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるレジスト組成物であり、解像力に優れ、露光量マージン、PEB温度依存性にも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 活性光線または放射線の照射によりスルホン酸基を複数有する特定の酸を発生する化合物と、分子内に少なくともひとつの脂肪族性水酸基及び/またはエーテル結合を有するアミン化合物とを含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線または放射線の照射により式(I)で表されるスルホン酸を発生する化合物、および (C1)分子内に少なくとも1つの脂肪族性水酸基及び/またはエーテル結合を有するアミン化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (15件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM