特許
J-GLOBAL ID:200903052822549263
有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ、有機半導体膜の製造方法及び有機薄膜トランジスタの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-166695
公開番号(公開出願番号):特開2006-024908
出願日: 2005年06月07日
公開日(公表日): 2006年01月26日
要約:
【課題】 新規なチオフェン環型有機半導体材料を開発し、作製直後のキャリア移動度が高く、キャリア移動度の経時劣化が少ない、有機半導体膜、ならびに、有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、有機半導体膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/05
, H01L 51/50
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (4件):
H01L29/28
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
Fターム (54件):
3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA14
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110BB10
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ14
引用特許:
引用文献:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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