特許
J-GLOBAL ID:200903052822549263

有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ、有機半導体膜の製造方法及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-166695
公開番号(公開出願番号):特開2006-024908
出願日: 2005年06月07日
公開日(公表日): 2006年01月26日
要約:
【課題】 新規なチオフェン環型有機半導体材料を開発し、作製直後のキャリア移動度が高く、キャリア移動度の経時劣化が少ない、有機半導体膜、ならびに、有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、有機半導体膜の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。 【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/05 ,  H01L 51/50 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件):
H01L29/28 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (54件):
3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
引用特許:
出願人引用 (9件)
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引用文献:
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