半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129243
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324902
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】後プロセスで熱的に安定で、また、各種高誘電率酸化物との積層構造ゲート絶縁膜作製に適した半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜8を高性能化するため、酸化珪素よりも比誘電率が2倍近く大きく、しかも熱的に安定な、Si-H結合を持たない窒化珪素膜を少なくともゲート絶縁膜8の一部として用いた。さらに、高誘電率の金属酸化物を積層した多層構造絶縁膜を形成し、酸化珪素に換算した等価的なゲート絶縁膜を、リーク電流を抑制しながら3nm未満に薄くすることが可能となった。

請求項（抜粋）：

単結晶もしくは多結晶シリコン半導体を能動領域とし、前記能動領域上にゲート絶縁膜を挟んでゲート電極を備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜を、水素原子と珪素原子の化学結合を含まない窒化珪素薄膜で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/318 , H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 21/318 A , H01L 21/318 C , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 444 A

Fターム (34件)：

5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD18 , 5F058BE03 , 5F058BF75 , 5F058BF80 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ10 , 5F083FR06 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA17 , 5F101BA62 , 5F140AA01 , 5F140AA19 , 5F140AA39 , 5F140AC32 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (10件)

N2Oガスを用いた薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-275613 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
特開昭58-040833
高誘電率金属酸化物を形成するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-231210 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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