特許
J-GLOBAL ID：200903052933550627
多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-300575
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109964
出願日： 2005年10月14日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】 EUV光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において用いられる反射型マスク用として好適な、反射率が高い上、表面平滑性が高く、欠陥の少ない多層反射膜付き基板を提供する。【解決手段】 基板上に、Mo/Siの交互積層膜からなる多層下地膜、Si膜からなる中間層および露光光を反射するMo/Siの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜の周期長をdbottom[単位:nm]、中間層の厚さをdSi[単位:nm]、多層反射膜の周期長をdtop[単位:nm]とした場合、式(1)および式(2) n×dtop-0.05≦dbottom≦n×dtop+0.05 ...(1) (ただし、nは1以上の自然数である。) m×dtop-1.2≦dSi≦m×dtop+1.2 ...(2) (ただし、mは0以上の整数である。)の関係を満たす多層反射膜付き基板である。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板上に、Mo/Siの交互積層膜からなる多層下地膜、Si膜からなる中間層および露光光を反射するMo/Siの交互積層膜からなる多層反射膜を順次設けてなる多層反射膜付き基板であって、前記多層下地膜の周期長をdbottom[単位:nm]、中間層の厚さをdSi[単位:nm]、多層反射膜の周期長をdtop[単位:nm]とした場合、式(1)および式(2)
n×dtop-0.05≦dbottom≦n×dtop+0.05 ...(1)
(ただし、nは1以上の自然数である。)
m×dtop-1.2≦dSi≦m×dtop+1.2 ...(2)
(ただし、mは0以上の整数である。)
の関係を満たすことを特徴とする多層反射膜付き基板。
IPC (6件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G21K 1/06
, G02B 5/08
, C23C 14/46
, C23C 14/06
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
, G21K1/06 B
, G21K1/06 C
, G21K1/06 D
, G02B5/08 A
, G02B5/08 C
, C23C14/46
, C23C14/06 N
2H042DA08
, 2H042DA12
, 2H042DB02
, 2H042DC02
, 2H042DE00
, 2H095BA10
, 2H095BB25
, 2H095BC27
, 4K029AA09
, 4K029BA11
, 4K029BA35
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029BD09
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC16
, 4K029DC37
, 5F046GD03
, 5F046GD10
, 5F046GD16
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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