特許
J-GLOBAL ID：200903053208988990

溶融シリカ被覆

発明者：
エイノン、ベン

エイノン、ベン について


出願人/特許権者：
フォトロニクス・インコーポレイテッド

フォトロニクス・インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  中村 礼
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-558074
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526988
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
耐久性が向上し、透過率の均一性および複屈折特性が改善された、フォトマスク上で使用するための溶融シリカ被覆。この被覆は、接着剤またはスライドレール・システムを用いてフォトマスクに固定されるか、または、静電気を用いて所定位置に保持されることができる。
請求項（抜粋）：
半導体作製時に使用するフォトマスクであって、 (a)実質的に透明な基板と、 (b)パターン化されたマスク材料が基板に固着された領域と、 (c)前記パターン化されたマスク材料の領域の実質的に全てを囲む、前記基板に固着したフレームと、 (d)前記フレームに固着したシリカ被覆とを備える半導体作製時に使用するフォトマスク。
IPC (2件)：
G03F1/14 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F1/14 J ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件)：
2H095BC33 ,  2H095BC37 ,  2H095BC38 ,  2H095BC39
引用特許：
審査官引用 (10件)
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