特許

J-GLOBAL ID：200903053375993068

電子ビーム露光により変質された、低誘電率で低含水率の、ナノサイズの多孔誘電体膜

発明者： ヤン,ジンジユン ,  ドレイジ,ジエイムズ エス. ,  フアースター,リン
出願人/特許権者： アライドシグナル インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  栗田 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-540572
公開番号（公開出願番号）：特表2004-500695
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

ナノサイズの多孔誘電膜は有機反応体によるオプションとしての疎水化処理後に電子ビーム暴露により変質する。基板上に膜を形成した後、基板は大面積電子ビーム暴露システムの内側に置く。得られた膜は熱硬化された膜に比べ誘電率が低く含水率及びシラノール含有率が低いことを特徴とする。また電子ビーム硬化された膜は熱硬化された膜に比べ、化学溶剤及び酸素プラズマに対する機械的強度及び抵抗が高い。

請求項（抜粋）：

a) 基板上にナノサイズの多孔誘電ポリマー配合物を形成する工程と、 b) オプションとしてポリマー配合物を表面改質配合物と接触させる工程と、 c) オプションとして膜を加熱し膜の孔から溶剤を蒸発させる工程と、 d) ポリマー配合物を電子ビームに曝す工程と、 e) オプションとして曝されたポリマー配合物をアニーリング処理する工程とを包有してなる基板上に低誘電率でナノサイズの多孔誘電体被膜を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L21/312 ,  B05D3/06 ,  H01L21/027

FI (3件)：

H01L21/312 D ,  B05D3/06 ,  H01L21/30 541Z

Fターム (26件)：

4D075BB26Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB69Z ,  4D075CA01 ,  4D075CA18 ,  4D075CA21 ,  4D075CA44 ,  4D075CA50 ,  4D075DA06 ,  4D075DB11 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EA12 ,  4D075EA19 ,  4D075EB02 ,  4D075EB56 ,  4D075EC07 ,  4D075EC60 ,  5F056DA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 放射線硬化性組成物、その硬化方法及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016193   出願人：ダウコーニングアジア株式会社
• SOG層キュアリング方法及びこれを用いた半導体装置の絶縁膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242775   出願人：三星電子株式会社
• シリカ薄膜形成用組成物およびシリカ薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056882   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-138860   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 電子ビーム放射を用いてSOG膜を硬化させる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-534259   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド
• 多層配線構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072290   出願人：日本電気株式会社