特許
J-GLOBAL ID：200903086939161683
SOG層キュアリング方法及びこれを用いた半導体装置の絶縁膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242775
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107026
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 膜質が固く、ブァイア抵抗の劣化を防止するSOG層キュアリグ方法及びこれを用いた半導体装置の絶縁膜製造方法を提供する。【解決手段】 金属配線間の絶縁作用と平坦化作用を行うSOGのキュアリング方法において、キュアリングするSOG層13の備えられた基板を、真空チャンバの備えられた電子ビーム照射装置内のターゲット平板上に装着する段階と、SOG層13を所定時間常温乃至500°Cで電子ビームで照射してキュアリングする段階とを含む。さらに、金属配線間の絶縁作用と平坦化作用を行うSOGの製造方法において、所定のパターンの形成された下地膜上にSOG層13をコーティングする段階と、SOG層13を所定時間常温乃至500°Cで電子ビームで照射してキュアリングする段階とを含む。これによって、SOG層13のクラック抵抗性及びSOG層13の密度が向上され、後続プラズマO2 処理工程時のSOG層13の損傷が防止される。
請求項（抜粋）：
半導体装置のILD層、IMD層又はパシベーション層として用いられ、金属配線間の絶縁作用及び平坦化作用を行うSOG層のキュアリング方法において、キュアリングするSOG層の備えられた基板を、真空チャンバの備えられた電子ビーム照射装置内のターゲット平板上に装着する段階と、前記SOG層を所定時間常温〜500°Cで電子ビームで照射してキュアリングする段階とを含めてなることを特徴とするSOG層キュアリング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/88 K
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (3件)
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