特許
J-GLOBAL ID：200903053552476788

ナノ構造体及びそれを用いた磁気記憶材料、配線基板、アンテナ基材

発明者：
藤原 英道

藤原 英道 について

, 
宇野 岳夫

宇野 岳夫 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-069299
公開番号（公開出願番号）：特開2006-247795
出願日： 2005年03月11日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】基板面の垂直方向に特定の方位関係を有する非磁性成分相と強磁性体相等の異種金属相の少なくとも一方が、ナノホール内に基板の垂直方向に配列するナノ構造体を得ることを目的とする。このナノ構造体を高密度磁気記憶材料や高周波数用配線基板や多周波数対応アンテナ基材に適用する。【解決手段】少なくとも基板面の垂直方向に対して特定の結晶方位関係を持つ非磁性成分相層と、強磁性体相の少なくとも一方が略平行又は略平行に間隔を隔てて存在する構造を有するナノ構造素子を、ナノホール内又は基板表面に形成することができる。これらのナノ構造体を用い、磁気記憶材料の高記憶密度化や高周波特性に優れた配線基板の低消費電力化、多周波対応アンテナ基材等を得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
貫通孔もしくは非貫通孔が規則的に配列した基板のナノホール中に、基板の垂直方向に対して特定の結晶方位関係をもつ非磁性金属相と磁性金属相の少なくとも一方が基板の垂直方向に略平行又は略平行に間隔を隔てて存在するナノ構造体。
IPC (2件)：
B82B 1/00 ,  G11B 5/65
FI (2件)：
B82B1/00 ,  G11B5/65
Fターム (5件)：
5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA00 ,  5D006FA00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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