特許

J-GLOBAL ID：200903053608720601

半導体装置及びその製造方法

発明者： 石塚 典男 ,  岩▲崎▼ 富生 ,  太田 裕之 ,  三浦 英生 ,  池田 修二 ,  鈴木 範夫 ,  高橋 正人 ,  佐藤 康夫 ,  田中 英樹 ,  美馬 宏行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  トレセンティテクノロジーズ株式会社
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178863
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228557
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、基板に生じる欠陥を効果的に抑制でき、性能の良好な半導体装置及び製造方法を提供することにある。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板に形成された溝と前記溝に埋め込まれた埋込み絶縁膜を有する素子分離領域と、前記素子分離領域に隣接して形成されゲート絶縁膜とゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成されるアクティブ領域と、前記素子分離領域上に少なくともゲート電極の一部が位置し、前記ゲート電極が位置する第一の領域における前記埋め込み絶縁膜の第一の界面が、前記ゲート電極が位置しない第二の領域における前記埋め込み絶縁膜の第二の界面より高い位置になるよう形成される領域を含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に形成された溝と前記溝に埋め込まれた埋込み絶縁膜を有する素子分離領域と、前記素子分離領域に隣接して形成されゲート絶縁膜とゲート絶縁膜の上にゲート電極が形成されるアクティブ領域と、 前記素子分離領域上に少なくともゲート電極の一部が位置し、 前記ゲート電極の位置する第一の素子分離領域における前記埋めこみ絶縁膜の上側の第一端面が、前記ゲート電極膜の位置しない第二の素子分離領域における前記埋込み絶縁膜の第二の端面より上に位置するよう形成される領域を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (5件)：

H01L29/78 301R ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/76 L ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (89件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA77 ,  5F032BA03 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032CA25 ,  5F032DA02 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083EP05 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP55 ,  5F083EP77 ,  5F083EP79 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA08 ,  5F101BA12 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD22 ,  5F101BD27 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F140AA08 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BE03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG51 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ14 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CC11 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-138539   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体メモリ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-203563   出願人：株式会社デンソー
• 半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-034553   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-087428   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-317001   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ