特許
J-GLOBAL ID：200903053663026358

レーザ照射方法及び結晶質半導体膜の作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について

, 
山本 良明

山本 良明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372794
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210102
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 ビームスポット自体のエネルギー分布を適正に整形し、同一の条件でレーザ照射を行っても未だ被照射物面内に与えられるエネルギーの不均一(レーザ照射)が生じてしまっていた。また、そのような照射エネルギーの不均一が生じたまま、半導体膜の結晶化し、結晶質半導体膜を形成すると当該膜内で結晶性が不均一となってしまい、その膜を用いて作製された半導体素子の特性にバラツキが起きてしまっていた。【解決手段】 本発明では、基板上に設置もしくは形成された被照射物にレーザビームを照射する際、当該レーザビームのパルス幅をpsec(10-12sec)程度、もしくはそれ以下の極短パルスのレーザビームを照射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
屈折率n且つ厚さdの基板上に形成された被照射物にレーザ発振器からパルス発振されたレーザビームを照射するときに、 前記レーザビームのパルス幅tは真空中の光速をcとするとct<2ndを満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
IPC (4件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 627G
Fターム (83件)：
5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ビームホモジナイザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-314040   出願人：住友重機械工業株式会社
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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