薄膜装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146165
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349540
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】形状安定性の悪い基板に微細構造体や薄膜回路層を転写形成した場合であっても作製される薄膜装置の寸法精度を低下させない転写技術を提供する。【解決手段】第1の基板(11)にフォトリソグラフィ法によるパターニングプロセスを使用して微細構造体又は薄膜回路層(30)を形成する過程(図1(a))と、微細構造体又は薄膜回路層を第1の基板から第2の基板(42)に移動し、又は第3の基板(33)を介して第1の基板から第2の基板に移動する過程(図1(b)〜図2(b))と、第2の基板に移動した上記微細構造体又は上記薄膜回路層に非フォトリソグラフィ法を使用して薄膜パターン(51〜52)を形成する過程(図3(a)〜同(d))と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の基板にフォトリソグラフィ法によるパターニングプロセスを使用して微細構造体又は薄膜回路層を形成する過程と、前記微細構造体又は前記薄膜回路層を前記第1の基板から第2の基板に転写し、又は第3の基板を介して前記第1の基板から前記第2の基板に転写する過程と、前記第2の基板に転写した前記微細構造体又は前記薄膜回路層に非フォトリソグラフィ法を使用して前記薄膜回路層に追加工を施す過程と、を含む薄膜装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (6件)：

H01L27/12 B , G02F1/1368 , H01L21/02 B , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L29/78 627D

Fターム (41件)：

2H092JA24 , 2H092KA05 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA21 , 2H092MA31 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL08 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (9件)

バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-346978 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242198 出願人：セイコーエプソン株式会社
レジスト現像方法およびレジスト現像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165955 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

全件表示

前のページに戻る