パターンの位置合わせ精度測定方法、パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邊隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209041
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】電気光学装置や半導体装置の製造プロセスにおいて、位置合わせ精度良くパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】下層側の位置合わせマークの中心に対する上層側の位置合わせマークの中心のズレ量を測定し、ズレ量が許容値以内の場合には次工程の作業を実施する一方、ズレ量が許容値を越える場合には上層側レイヤーの位置合わせマークおよび実使用パターンを一旦除去した後、再度下層側レイヤーに対する位置合わせを行って上層側レイヤーの位置合わせマークおよび実使用パターンを形成し、下層側の位置合わせマークの中心に対する上層側の位置合わせマークの中心のズレ量を測定する作業を前記ズレ量が許容値以内となるまで繰り返す。

請求項（抜粋）：

下層側レイヤーに実使用パターンおよび位置合わせ精度測定用の位置合わせマークが設けられるとともに、上層側レイヤーに実使用パターンおよび位置合わせ精度測定用の位置合わせマークが設けられ、下層側位置合わせマークに対する上層側位置合わせマークの位置合わせ精度を測定するパターンの位置合わせ精度測定方法であって、前記下層側位置合わせマークの中心に対する前記上層側位置合わせマークの中心のズレ量を測定することにより、前記下層側位置合わせマークに対する前記上層側位置合わせマークの位置合わせ精度を測定することを特徴とするパターンの位置合わせ精度測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G02F 1/1368 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/1368 , H01L 21/30 520 C , H01L 21/30 522 Z , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 624

Fターム (27件)：

2H092JA24 , 2H092MA13 , 2H092MA41 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 5F046EA04 , 5F046EA09 , 5F046EA30 , 5F046EB01 , 5F046FC03 , 5F046FC10 , 5F110AA24 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110PP03 , 5F110QQ01

引用特許：

審査官引用 (12件)

位置ずれ量測定光学系の調整方法および位置ずれ量測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-277124 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
レチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132402 出願人：ソニー株式会社
パターン検出方法及びパターン検出装置及びそれを用いた投影露光装置及び露光システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225432 出願人：株式会社日立製作所

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