特許
J-GLOBAL ID：200903054312824734

結晶性半導体膜の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-052530
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265968
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】薄膜トランジスタの作製工程において、簡便かつ非破壊で正確に作製条件を管理し、薄膜トランジスタの特性がばらつきなく、必要とする特性が得られるように、良質な結晶性半導体膜及びそれを有する薄膜トランジスタを作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、前記レーザ光を照射する際の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が40nm以上300nm以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非晶質半導体膜に金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を加熱し、レーザ光を照射し、結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法において、 前記レーザ光を照射する際の照射条件を、前記結晶性半導体膜の表面粗さに基づく管理基準により管理し、 前記結晶性半導体膜に形成される凹凸の最大高低差が40nm以上300nm以下であるように前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
IPC (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
Fターム (84件)：
5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052BA01 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052DB09 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA24 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD18 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (7件)
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