半導体装置およびその作製方法および半導体製造装置

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028874
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231631
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】触媒を用いて固相成長させたpoly-Si膜にレーザ処理する場合、レーザ照射により膜表面の凹凸が変化するため、経験的に適正と思われる条件に合わせこむことで工程の安定化をはかり、限度見本等と照らし合わせ適正な照射条件を設定しているが、これは人間の肉眼に頼る部分が非常に大きい官能検査のため、測定に際して個人差の影響を受け易く測定結果が定量的でない。そこで、触媒を用いて結晶化したpoly-Siに対しレーザ照射する工程に簡易で確実なプロセスモニターを提供し、良質なpoly-Siを得る手段を提供する。【解決手段】ラマン散乱スペクトルの半値幅を用いて結晶性をモニタリングすると、工程管理を確実に行うことができ、触媒を用いて結晶化した後にこの工程管理により得られた最適条件でレーザ照射して得られたpoly-Siを用いて作製したTFTの電界効果移動度を容易に最大にすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

珪素を含む非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入する第1の工程と、加熱処理により前記非晶質半導体膜の少なくとも一部を結晶化させ第1の結晶質半導体膜を得る第2の工程と、前記第1の結晶質半導体膜にレーザ光を照射して第2の結晶質半導体膜を得る第3の工程と、を有し、前記第3の工程は、結晶珪素のTOフォノンに起因するラマン散乱スペクトルの半値幅が5.5cm-1以上となるように前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 T , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 627 G

Fターム (106件)：

2H092GA59 , 2H092JA34 , 2H092JB58 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092PA03 , 2H092PA04 , 2H092PA09 , 2H092RA01 , 2H092RA05 , 2H092RA10 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB11 , 5F048BE08 , 5F048BG07 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA24 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

電気光学装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-191079 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-317525 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体薄膜およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-350049 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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