特許
J-GLOBAL ID：200903044282223700
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270366
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111379
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタに利用する結晶性珪素膜を得る。【構成】 薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜として、厚さ150Å〜800Åであって、また高低差が100Å〜700Åの凹凸を有するものを用いる。このような結晶性珪素膜は、レーザー光の照射を行うことによって得ることができる。
請求項（抜粋）：
結晶性を有する珪素膜を用いた半導体装置であって、前記珪素膜の平均膜厚は150Å〜800Åであり、前記珪素膜の表面は凹凸を有し、前記凹凸は高低差が100Å〜700Åであることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
