特許

J-GLOBAL ID：200903054422725316

半導体素子の製造方法及び半導体素子

発明者： 赤▲崎▼ 勇 ,  天野 浩 ,  デートプロム ティーラデート ,  矢野 雅大 ,  中村 亮
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学 ,  日本学術振興会
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377618
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093726
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子中における半導体単結晶の転位密度を低減することが可能な新規な製造方法を提供し、これによって低転位密度の領域を有する半導体単結晶層を具えた半導体素子を得る。【解決手段】 単結晶基板1に主面1Aに、幅W、深さdのストライプ状の溝4を周期Pで複数形成する。そして、単結晶基板1の主面1A上に、溝4を覆うようにして中間層2を形成し、この中間層2上に半導体単結晶層3を形成する。

請求項（抜粋）：

所定の単結晶基板の主面上に複数の溝を周期的なストライプ状に形成した後に、前記単結晶基板の前記主面上に半導体層を順次に形成して所定の半導体素子を製造することを特徴とする、半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 Z

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE10 ,  4G077EF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF05 ,  5F045AF08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-186462   出願人：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-071350   出願人：豊田合成株式会社
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-344808   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-071467   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080288   出願人：日亜化学工業株式会社