窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186462
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008985
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】サファイア等の異種基板上から、直接、窒化物半導体層を横方向に成長させる窒化物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の表面に、点状、ストライプ状又は格子状の凹部を形成し、異種基板上に窒化物半導体層を気相成長させて、異種基板の最上面又は凹部の側面から成長した窒化物半導体層を、凹部底面の上方において互いに接合させる。異種基板との界面において発生した転位は、凹部内側の領域においては窒化物半導体の成長方向に沿って横方向にのみ進行する。凹部底面において発生した転位は基板の上方に向かって進行するが、基板最上面又は凹部側面から成長した窒化物半導体の接合部で止まるため、凹部の上方に低転位密度の窒化物半導体層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の表面に、点状、ストライプ状又は格子状の凹部を形成する工程と、前記異種基板上に窒化物半導体層を気相成長させて、前記異種基板の最上面又は凹部側面から成長した窒化物半導体層を、凹部底面の上方において互いに接合させる工程とを備えた窒化物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 , C30B 29/40 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 29/40 502 H , C30B 29/40 502 G , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (34件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE03 , 4G077EE10 , 4G077EF03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DB02 , 5F045HA02 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-216110 出願人：シャープ株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体装置の組立方法およびIII-V族半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-193430 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

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