特許
J-GLOBAL ID：200903054467106846
プラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及び被処理物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三木 久巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-194713
公開番号（公開出願番号）：特開2007-009303
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【目的】例えばDLC膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。【構成】2種類の第1プラズマ16及び第2プラズマ17を使用する。各プラズマは、第1プラズマ発生部2、第2プラズマ発生部3において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット23を分離、除去して、第1プラズマ16及び第2プラズマ17を共通輸送ダクト10を経由してプラズマ処理部1に誘導する。このとき、第1プラズマ16及び第2プラズマ17を共通輸送ダクト10に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部1内のワークW表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って第1プラズマを発生させ、前記第1プラズマに含有される前記アーク放電部の陰極から発生する陰極材料粒子(以後、ドロップレットと言う)を分離させ、固体・液体をプラズマ源として又は気体をプラズマ作動ガスとして第2プラズマを発生させ、前記ドロップレットを分離させた前記第1プラズマ及び前記第2プラズマを共通輸送ダクトに導入経由してプラズマ処理部に電磁的に誘導し、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマを前記共通輸送ダクトに導入するタイミングを制御し、前記第1プラズマ及び前記第2プラズマにより前記プラズマ処理部内の被処理物を表面処理加工することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (3件)：
C23C 14/24
, C23C 14/00
, H05H 1/50
C23C14/24 F
, C23C14/00 B
, H05H1/50
4K029BA07
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BC01
, 4K029BC02
, 4K029BD04
, 4K029CA04
, 4K029DA09
, 4K029DD01
, 4K029DD02
, 4K029DD04
, 4K029DD05
, 4K029DD06
, 4K029EA06
, 4K029JA02
出願人引用 (7件)
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触媒コンバータ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-370145
出願人：日産自動車株式会社
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成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-349474
出願人：新明和工業株式会社, 滝川浩史
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偏向磁場型真空アーク蒸着装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-169754
出願人：日新電機株式会社
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審査官引用 (8件)
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