MRAMアレイ内のセルのための一様な磁気環境

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311295
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187570
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】アレイ内の全てのメモリセルに対して一様な磁気環境を有するMRAMアレイの提供。【解決手段】一様な磁気環境を有する磁気メモリ(10)が開示される。磁気メモリは、ダミー磁気セル(D)を含み、ダミー磁気セルは電気的に不活性であるが、磁気メモリ内の活性な磁気メモリセル(I,P)とほぼ等しい磁極を有する。磁気メモリセルの幾つかは、アレイ(20)の内側に配置され、全ての側面で隣接する磁気メモリセルによって包囲され、内側位置のセル(I)が第1の一様な磁気環境に晒されるようにする。他の磁気メモリセル(P)はアレイの周辺に配置される。ダミー磁気セルが周辺部の磁気メモリセルに隣接して配置され、周辺の磁気メモリセル(P)が、第1の一様な磁気環境にほぼ等しい第2の一様な磁気環境に晒されるようにする。結果として、磁気メモリ(10)は、アレイ(20)の全体に亘って一様な磁気環境を有し、アレイ内の磁気メモリセル(I,P)の切替え特性分布が一様になる。

請求項（抜粋）：

一様な磁気環境を有する磁気メモリであって、磁化容易軸を有し、アレイを画定するために複数の行および列に配列される複数の磁気メモリセルであって、前記磁気メモリセルが前記アレイ内の内側位置または周辺位置の選択された一方に配置され、前記内側位置を有する前記磁気メモリセルが、隣接する前記磁気メモリセルによって生成される第1の一様な磁気環境に晒される、複数の磁気メモリセルと、行方向および列方向においてそれぞれ前記磁気メモリセルを横切る行導体および列導体と、及び磁化容易軸を有し、前記周辺位置を有する前記磁気メモリセルのうちの選択された1つまたは複数の磁気メモリセルに隣接して配置される複数のダミー磁気セルとを含み、前記周辺位置を有する磁気メモリセルが、隣接する前記磁気メモリセルと隣接する前記ダミー磁気セルとによって生成される第2の一様な磁気環境に晒され、前記第2の一様な磁気環境が前記第1の磁気環境に概ね等しい、磁気メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 110 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (3件)：

G11C 11/15 110 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (2件)：

5F083FZ10 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-061161
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-020000 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開昭61-214559

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