特許
J-GLOBAL ID:200903054541322548
ウエーハの分割方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-026530
公開番号(公開出願番号):特開2005-222987
出願日: 2004年02月03日
公開日(公表日): 2005年08月18日
要約:
【課題】パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、分割されたチップをピックアップするプロセスを確立することができるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】ウエーハの表面に保護部材を貼着する工程と、ウエーハの裏面を研磨する工程と、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、変質層を形成する工程と、分割予定ラインに沿って外力を付与しウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する工程と、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着する工程と、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる工程と、拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップする工程とを含む。【選択図】図9
請求項(抜粋):
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
表面に保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
研磨加工されたウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
IPC (2件):
FI (5件):
H01L21/78 Q
, H01L21/304 621B
, H01L21/78 B
, H01L21/78 X
, H01L21/78 Y
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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半導体基板の切断方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-318883
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-067276
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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窒化物半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-328665
出願人:日亜化学工業株式会社
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