磁気記録素子及び磁気メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-092230
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266498
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。【解決手段】本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。磁気記録層は、飽和磁化Ms(emu/cc)と異方性磁界Han(Oe)との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms-1+12.57Msを満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、前記磁気記録層と前記磁気固着層との間の非磁性バリア層とを具備し、前記磁気記録層は、飽和磁化Ms(emu/cc)と異方性磁界Han(Oe)との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms-1+12.57Msを満たすことを特徴とする磁気記録素子。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01F 10/16 , G11C 11/15

FI (7件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/08 H , H01L29/82 Z , H01F10/16 , G11C11/15 112

Fターム (58件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD08 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD33 , 4M119DD36 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119HH02 , 4M119HH05 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA08 , 5F092AA01 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AB10 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC04 , 5F092BC13 , 5F092BC22 , 5F092BC32 , 5F092BC33 , 5F092BC34 , 5F092BC39 , 5F092BC42 , 5F092CA07 , 5F092CA09 , 5F092CA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-320923 出願人：ソニー株式会社
磁気セル及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-396201 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-194513 出願人：株式会社東芝
磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-544759 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-387331 出願人：ソニー株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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