特許
J-GLOBAL ID:200903054969092695
サファイヤ基板及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-113315
公開番号(公開出願番号):特開2004-315314
出願日: 2003年04月17日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】スクライビングによる欠けが発生しにくいサファイヤ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板において、主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<-1 -1 2 0>、<2 -1 -1 0>、<-1 2 -1 0>の等価方向に対して垂直な面のうちいずれか一つの特定の面に形成されていることを特徴とするサファイヤ基板である。特定のa面にオリフラを設けると、このオリフラを基準として欠けが発生しにくい方向にスクライビングすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
サファイヤ基板において、
主面がc面であるサファイヤ基板のオリエンテーションフラットが、<-1 -1 2 0>、<2 -1 -1 0>、<-1 2 -1 0>の等価方向に対して垂直な面のうちいずれか一つの特定の面に形成されていることを特徴とするサファイヤ基板。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (13件):
3C069AA03
, 3C069BA00
, 3C069BB03
, 3C069BB04
, 3C069BC00
, 3C069CA02
, 3C069CA06
, 3C069CB02
, 3C069EA01
, 3C069EA05
, 4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077FG16
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
サファイヤ基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-033243
出願人:並木精密宝石株式会社
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サファイア基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-203056
出願人:ソニー株式会社
-
窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-014952
出願人:松下電器産業株式会社
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