特許

J-GLOBAL ID：200903055037599381

III-V族半導体素子、およびその製造方法

発明者： 安藤 雅信 ,  堀内 茂美 ,  木下 欣紀 ,  冨田 一義
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-069266
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235362
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】半導体素子端面での電流のリークやショートが防止された、新たな構造のIII -V族半導体素子。【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体層101は支持基板107に向かうにつれて断面積が漸減する逆テーパー状に形成され、半導体層101の下面には、p電極102、低融点金属拡散防止層103が形成され、低融点金属層105、106を介して支持基板107に接合している。半導体層101の上面には、格子状にn電極108が形成されている。半導体層101の側端面には、イオン注入による高抵抗領域110が形成され、半導体層101上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域111が形成されている。この高抵抗領域100、111によって、電流のリークやショートが防止される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III -V族半導体で構成され、導電性の支持基板に接合された半導体素子において、 前記半導体素子の側端面には、イオン注入による高抵抗領域が形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 A ,  H01L33/00 E

Fターム (11件)：

5F041AA25 ,  5F041CA05 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-141375   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレーテッド
• 縦方向構造を有するLEDの製作方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-585153   出願人：オリオール,インク.
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-316839   出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレーテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-251272   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体ウェハー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-072587   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316839   出願人：株式会社東芝
• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-065489   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-023297   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-270079   出願人：スタンレー電気株式会社