特許
J-GLOBAL ID：200903055311257905

窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた電子用部品

発明者：
中村 美保

中村 美保 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-173373
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を上げる場合、窒化アルミニウム粒子の粒径を大きくすることが考えられるが、粒径を大きくすることにより強度、破壊靱性値が低下する傾向にある。これにより、例えば窒化アルミニウム焼結体で形成した半導体基板を実装ボードに装着する際に、僅かな曲げ応力等により半導体基板が損傷する等の問題が発生している。【解決手段】 希土類元素-酸素-アルミニウム系化合物からなる粒界相を具備する窒化アルミニウム焼結体において、粒径が3μm以下の窒化アルミニウム結晶粒子が全窒化アルミニウム結晶粒子の95%以上であり、4点曲げ強度が420MPa以上、破壊靱性値が4.5MPam1/2以上、かつ熱伝導率が70W/m・K以上130W/m・K以下であるもの。
請求項（抜粋）：
希土類元素-酸素-アルミニウム系化合物からなる粒界相を具備する窒化アルミニウム焼結体において、粒径が3μm以下の窒化アルミニウム結晶粒子が全窒化アルミニウム結晶粒子の95%以上であり、破壊靱性値が4.5MPam1/2以上、かつ熱伝導率が70W/m・K以上130W/m・K以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
IPC (5件)：
C04B 35/581 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/36 ,  H05K 1/03 610
FI (6件)：
H05K 1/03 610 E ,  C04B 35/58 104 F ,  C04B 35/58 104 B ,  H01L 23/14 S ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 C
Fターム (22件)：
4G001BA03 ,  4G001BA04 ,  4G001BA07 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB03 ,  4G001BB04 ,  4G001BB07 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC13 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD16 ,  4G001BD18 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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