特許
J-GLOBAL ID：200903055326425510
導電性バンプの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300149
公開番号（公開出願番号）：特開2009-129951
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】配線基板の接続パッドのピッチが狭小化される場合であっても、保護絶縁層の開口部内の接続パッド上に十分な高さの導電性バンプを信頼性よく形成できる導電性バンプの形成方法を提供する。【解決手段】表層側に、接続パッドC1とその上に開口部18aが設けられた保護絶縁層18とを備えた基板1を用意する工程と、保護絶縁層18の開口部18a内の接続パッドC1の上に、少なくとも外面部がはんだからなる第1導電性ボール30を配置する工程と、第1導電性ボール30をリフロー加熱することにより、開口部18a内にはんだ層32を埋め込む工程と、はんだ層32の上に第2導電性ボール50を配置する工程と、リフロー加熱によってはんだ層32と第2導電性ボール50とを接合することにより、保護絶縁層18の上面から突出する導電性バンプBを得る工程とを含む。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
表層側に、接続パッドと該接続パッドの上に開口部が設けられた保護絶縁層とを備えた基板を用意する工程と、
前記保護絶縁層の開口部内の接続パッドの上に、少なくとも外面部がはんだからなる第1導電性ボールを配置する工程と、
前記第1導電性ボールをリフロー加熱することにより、前記開口部内にはんだ層を埋め込む工程と、
前記はんだ層の上に第2導電性ボールを配置する工程と、
リフロー加熱によって前記はんだ層と前記第2導電性ボールとを接合することにより、前記保護絶縁層の上面から突出する導電性バンプを得る工程とを有することを特徴とする導電性バンプの形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/92 604H
, H05K3/34 505A
, H05K3/34 507C
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC01
, 5E319BB04
, 5E319CC33
, 5E319CD21
, 5E319GG03
