特許
J-GLOBAL ID：200903082948715653
GaN系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161782
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060318
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 オフ角を持つGaN系化合物半導体エピウェハにおけるエピタキシャル層(素子層)に高品質な結晶性を得られるようにする。【解決手段】 六方晶系に属する第1の窒化物半導体からなる基板11と、該基板11の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の窒化物半導体からなる素子層12とを有している。基板11の主面の面方位は(0001)面から晶帯軸の<1-100>方向にオフ角を有し、素子層12は、該オフ角の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有している。
請求項（抜粋）：
六方晶系に属する第1の窒化物半導体からなる基板と、前記基板の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第2の窒化物半導体からなる素子層とを備え、前記基板の主面の面方位は、(0001)面から一の方向にオフ角を有し、前記素子層は、前記一の方向に対してほぼ平行に延びる縞状の表面形態を有していることを特徴とするGaN系化合物半導体エピウェハ。
Fターム (8件)：
5F073AA11
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA32
, 5F073EA28
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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