特許
J-GLOBAL ID:200903055422926695
質量分析用基板、その製造方法および質量分析測定装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-290482
公開番号(公開出願番号):特開2008-107209
出願日: 2006年10月25日
公開日(公表日): 2008年05月08日
要約:
【課題】広範囲な分子量の物質を高精度で簡単に質量分析することができる質量分析用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】レーザー脱離イオン化質量分析に用いる質量分析用の基板であって、基板上に配列したワイヤ状の金属からなるワイヤ状金属層を有する質量分析用基板。基板上に、チューブ状のメソ細孔が実質的に一方向に配向して設けられているメソポーラスシリカ薄膜を形成する工程と、該チューブ状の細孔内に金属を導入する工程と、金属を導入しら後にシリカを除去する工程とを有する質量分析用基板の製造方法。【選択図】図6
請求項(抜粋):
レーザー脱離イオン化質量分析に用いる質量分析用の基板であって、基板上に配列したワイヤ状の金属からなるワイヤ状金属層を有することを特徴とする質量分析用基板。
IPC (3件):
G01N 27/64
, G01N 27/62
, H01J 49/16
FI (3件):
G01N27/64 B
, G01N27/62 F
, H01J49/16
Fターム (11件):
2G041CA01
, 2G041DA03
, 2G041DA04
, 2G041EA01
, 2G041FA10
, 2G041GA06
, 2G041GA19
, 2G041JA08
, 5C038GG07
, 5C038GG13
, 5C038GH06
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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