特許
J-GLOBAL ID：200903055451716438

集束イオンビームによる試料加工方法及び装置

発明者：
黒田 靖

黒田 靖 について

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矢口 紀恵

矢口 紀恵 について

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大西 毅

大西 毅 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-001669
公開番号（公開出願番号）：特開2009-162666
出願日： 2008年01月08日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】高分子材料や有機材料等の熱に弱い材料の断面を、イオンビームの熱による影響を抑制し、かつ、短時間で加工可能な集束イオンビームによる高分子材料加工方法及び装置を実現する。【解決手段】試料7から微小試料片を大電流イオンビームにより切り出す前に、微小試料18に熱影響を与えない小電流イオンビーム16により微小試料18の周囲に熱伝達抑制用の溝19を形成し、その後、形成した溝19の外周を大電流イオンビームにより微小試料片を切り出す。試料に熱影響を与えない小電流イオンビームにより微小試料片18を切り出すことも考えられるが、微小試料片18を切り出すまでに長時間を要する。試料7に熱影響を与えない小電流イオンビーム16による溝19の形成加工は、試料片の切り出し加工より短時間で終了可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
集束イオンビームを照射して試料を加工する集束イオンビーム試料加工方法において、 試料から取り出す試料片領域の外形部位に集束イオンビームを照射して、溝を形成し、 形成された上記溝を含む試料片領域の外形部位の外周部に、上記溝を形成した集束イオンビームより大きい電流の集束イオンビームを照射して、 上記試料から試料片を分離する集束イオンビーム試料加工方法。
IPC (4件)：
G01N 1/28 ,  H01J 37/317 ,  H01J 37/31 ,  H01J 37/20
FI (4件)：
G01N1/28 F ,  H01J37/317 D ,  H01J37/31 ,  H01J37/20 Z
Fターム (10件)：
2G052AA18 ,  2G052AD12 ,  2G052AD32 ,  2G052AD52 ,  2G052BA15 ,  2G052EC18 ,  2G052GA33 ,  2G052GA34 ,  5C001CC08 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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