特許
J-GLOBAL ID：200903055518223679

基板処理方法及びその装置

発明者：
寺田 正一

寺田 正一 について

, 
水野 剛資

水野 剛資 について

, 
上原 健

上原 健 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-183981
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173765
出願日： 2006年07月04日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】化学機械研磨のような高負荷プロセスを経ることなく、均一かつ高精度な塗布膜の平坦化を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供すること。【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハWに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する基板処理方法において、スピンチャック10によって回転するウエハに対して塗布液供給ノズル30から塗布液を供給して、ウエハの表面に塗布膜を形成し、塗布膜が形成されたウエハを加熱して、塗布膜のエッチング条件を調整する。次に、回転するウエハに対して溶剤供給ノズル40からエッチング液例えば塗布液の溶剤を供給して、塗布膜をエッチングした後、ウエハに対して塗布液供給ノズルから塗布液を供給し、ウエハの表面に平坦状の塗布膜を形成する。そして、ウエハを加熱して塗布膜を硬化させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面に凹凸を有する被処理基板に対して塗布液を供給して、上記被処理基板の表面に塗布膜を形成する第1の塗布工程と、 上記塗布膜が形成された被処理基板を加熱して、上記塗布膜のエッチング条件を調整する第1の乾燥工程と、 上記被処理基板に形成された塗布膜をエッチングするエッチング液を供給して、上記塗布膜をエッチングするエッチング工程と、 上記被処理基板に対して塗布液を供給し、被処理基板の表面に平坦状の塗布膜を形成する第2の塗布工程と、 上記第2の塗布工程の後、上記被処理基板を加熱して塗布膜を硬化させる第2の乾燥工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/316 G ,  H01L21/90 Q
Fターム (12件)：
5F033QQ09 ,  5F033QQ88 ,  5F033RR09 ,  5F033SS22 ,  5F033XX01 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BE03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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