六方晶系ウルツ鉱型単結晶、その製造方法、および六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233202
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124268
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。【解決手段】柱状の種結晶から少なくともm面について結晶成長させることによって得られたAX(Aは陽性元素、Xは陰性元素)で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素A以外の金属のうち2価の金属および3価の金属の濃度が10ppm以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも100%以内である結晶。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

柱状の種結晶から少なくともm面について結晶成長させることによって得られたAX(Aは陽性元素、Xは陰性元素)で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素A以外の金属のうち、2価の金属および3価の金属の濃度がそれぞれ10ppm以下であり、かつ、2価の金属および3価の金属の濃度のばらつきがいずれも100%以内であることを特徴とする六方晶系ウルツ鉱型単結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/16 , C30B 7/10 , C01G 9/02 , C30B 29/38

FI (4件)：

C30B29/16 , C30B7/10 , C01G9/02 A , C30B29/38 D

Fターム (24件)：

4G047AA02 , 4G047AB01 , 4G047AC03 , 4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BB07 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077BE32 , 4G077CB03 , 4G077EA02 , 4G077EC07 , 4G077EC10 , 4G077ED01 , 4G077ED02 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA11 , 4G077KA01 , 4G077KA05 , 4G077KA07 , 4G077KA09 , 4G077KA11

引用特許：

審査官引用 (10件)

酸化亜鉛育成用種結晶、酸化亜鉛種結晶の育成方法、および、その育成装置。
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-142973 出願人：東京電波株式会社
圧電性半導体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-239651 出願人：日本碍子株式会社
単結晶育成用容器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255151 出願人：東京電波株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

2インチサイズZnO単結晶の水熱育成と評価

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