特許
J-GLOBAL ID：200903055743267669

発光装置およびその作製方法

発明者：
山形 裕和

山形 裕和 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
高山 徹

高山 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-318546
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 従来より劣化しにくい構造の発光素子により上記した課題を解決した寿命の長い発光素子を作製し、高品質な発光装置を作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】 バンクを形成した後、露出した陽極表面をPVA(ポリビニルアルコール)系の多孔質体などを用いて拭い、平坦化およびゴミの除去を行う。また、バンクおよび陽極を覆って絶縁膜を形成し、陽極表面の凹凸の掩蔽および有機化合物層に注入される正孔と電子の量のバランスを整える。
請求項（抜粋）：
絶縁体上のTFTと、前記TFT上の層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上の陽極と、前記TFTと前記陽極とを電気的に接続する配線と、前記配線および前記陽極上にバンクと、前記陽極および前記バンク上に絶縁膜と、前記陽極上に該絶縁膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極とを含む発光装置。
IPC (6件)：
G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (7件)：
G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/22 Z
Fターム (51件)：
3K007AB02 ,  3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA04 ,  5C094AA07 ,  5C094AA10 ,  5C094AA24 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094JA08 ,  5G435AA03 ,  5G435AA14 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435HH01 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH14 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (20件)
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