特許
J-GLOBAL ID：200903056102295910
光学活性ジホスフィンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305211
公開番号（公開出願番号）：特開平9-124669
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：
【要約】【課題】 従来のBINAP類とは異なった選択制(化学選択性、エナンチオ選択性)及び触媒活性を持つ、新規な光学活性ジホスフィン化合物(2,2’-ビス( ジ置換ホスフィノ)-1,1’-ビナフチル)の製造方法を提供する。【解決手段】 2,2’-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)-1,1’-ビナフチルに、遷移金属-ホスフィン錯体の存在下、下記一般式A2 P(O)H(式中、Aは、フェニル基、置換フェニル基(置換基は1〜3個置換され、それぞれの置換基は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基からなる群から任意に選ばれる。)、低級アルキル基又は低級アルコキシル基で置換されてもよいナフチル基を示す。)で表されるホスフィンオキシドを反応せしめることを特徴とする光学活性ジホスフィン(2,2’-ビス( ジ置換ホスフィノ)-1,1’-ビナフチル)の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式(II)【化1】(式中、Tfは、トリフルオロメタンスルホニル基を示す。)で表される2,2’-ビス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)-1,1’-ビナフチルに、遷移金属-ホスフィン錯体の存在下、一般式(III)A2 P(O)H (III)(式中、Aは、フェニル基、置換フェニル基(置換基は1〜3個置換され、それぞれの置換基は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基からなる群から任意に選ばれる。)、低級アルキル基又は低級アルコキシル基で置換されてもよいナフチル基を示す。)で表されるホスフィンオキシドを反応せしめることを特徴とする一般式(I)【化2】(式中、Aは、フェニル基、置換フェニル基(置換基は1〜3個置換され、それぞれの置換基は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基からなる群から任意に選ばれる。)、低級アルキル基又は低級アルコキシル基で置換されてもよいナフチル基を示す。)で表される光学活性ジホスフィンの製造方法。
IPC (4件)：
C07F 9/50
, B01J 31/24
, C07B 61/00 300
, C07M 7:00
C07F 9/50
, B01J 31/24 Z
, C07B 61/00 300
