特許
J-GLOBAL ID：200903033428770111

結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について

, 
島田 昌彦

島田 昌彦 について

, 
山根 久典

山根 久典 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119103
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 基板をチップ状に切り出す際の歩留りを向上させ、基板をチップ状に切り出す際のコストを著しく低減させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 反応容器101内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ga(ガリウム))を含む物質(102)と少なくとも窒素元素を含む物質(103)とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。
請求項（抜粋）：
アルカリ金属および少なくともIII族金属元素を含む物質と少なくとも窒素元素を含む物質とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA01 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB12 ,  5F073DA02 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (12件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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