圧電体薄膜形成方法、及び圧電体薄膜の応用デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蔵合正博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128481
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324926
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】反応性ガスの導入や基板の高温加熱を不要とし、従来の方法よりも容易にターゲットと同一組成の圧電体薄膜を得ること。【解決手段】ターゲット材107にレーザ光を照射して、ターゲット材からの脱離・射出物質を対向基板109に堆積させて薄膜を形成するレーザアブレーション法において、目的とする薄膜と同一組成又はほぼ同じ組成のターゲット材を用い、アブレーション時に反応室101内に雰囲気ガスを一定圧力で導入する。これにより、反応性ガスの導入や基板の高温加熱を必要とすることなく、より簡単にターゲット材と同一組成の圧電体薄膜を得ることが可能となる。基板材料が限定されることもなく、半導体プロセスとの整合性もとることができる。

請求項（抜粋）：

ターゲット材及び基板を反応室内に配置する工程と、前記反応室に一定圧力で雰囲気ガスを導入しながら、前記ターゲット材にビーム光を照射することにより励起し、脱離した前記ターゲット材に含まれる物質を前記基板上に堆積して薄膜を形成する工程とを具備する圧電体薄膜形成方法であって、前記ターゲット材にビーム光を照射することにより前記ターゲット材近傍に形成される高温高圧領域のサイズが最適となるように、前記反応室に導入する前記雰囲気ガスの圧力(P)及び、前記基板と前記ターゲット材との間の距離(D)を調整する工程を具備することを特徴とする圧電体薄膜形成方法。

IPC (8件)：

H01L 41/24 , C30B 23/08 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H03H 3/02 , H03H 9/17 , B06B 1/06 , H02N 2/00

FI (8件)：

C30B 23/08 Z , H03H 3/02 B , H03H 9/17 F , B06B 1/06 Z , H02N 2/00 B , H01L 41/22 A , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/08 C

Fターム (23件)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BC32 , 4G077BC37 , 4G077BC42 , 4G077BC43 , 4G077BE13 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EF01 , 4G077HA11 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SA11 , 5D107AA13 , 5D107BB08 , 5D107CC02 , 5J108BB01 , 5J108BB07 , 5J108KK01 , 5J108MM11

引用特許：

審査官引用 (7件)

蒸着薄膜の作製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127495 出願人：三菱化成株式会社
圧電薄膜素子およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280473 出願人：三菱電機株式会社
強誘電体単結晶薄膜およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-221122 出願人：株式会社リコー

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