特許
J-GLOBAL ID：200903056328507839

フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置および配線基板

発明者：
木下 豊太郎

木下 豊太郎 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-127414
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298805
出願日： 2006年05月01日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】ASICを製造するフォトマスク群のうち、細い配線にも対応できる配線パターン層を描画することが可能となるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの製造装置、配線基体および電子光学装置を提供する。【解決手段】フォトマスクの製造方法は、エネルギー20Aを付与すると硬化する液体状の光透過性材料12Bを光透過性の基体10上の所定の領域18の周囲に対して吐出して硬化させ、光透過性のバンク層12を基体10上に形成する。液体状の遮光性材料14Bをバンク層12によって区画される基体10上の領域18に対して吐出して硬化させ、遮光性の遮光性層14を基体10上に形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エネルギーを付与すると硬化する液体状の光透過性材料を光透過性の基体上の所定の領域の周囲に対して吐出して硬化させ、光透過性のバンク層を前記基体上に形成する工程と、 エネルギーを付与すると硬化する液体状の遮光性材料を前記バンク層によって区画される前記基体上の前記領域に対して吐出して硬化させ、遮光性の遮光性層を前記基体上に形成する工程と、 を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
G03F 1/08
FI (1件)：
G03F1/08 A
Fターム (3件)：
2H095BB06 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 配線基板の製造方法
    公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002012101   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM